摘要：本發明為真空封閉式坩堝下降法生長摻鉈碘化鈉(NaI(Tl))單晶體的新工藝技術，屬于碘化鈉晶體的單晶生長領域。在內部襯有與摻鉈碘化鈉熔體不發生化學反應的物質、且底部為錐形的石英坩堝內加入碘化鈉原料，在真空度優于5×10-3Pa的狀態下進行熱處理，逐步升溫到300℃后恒溫至少8個小時，在真空度保持不變的情況下降至室溫；之后向所述石英坩堝內部加入摻雜原料碘化鉈，進行二次抽真空和熱處理，直至達到真空度優于3×10-3Pa并且溫度為200℃的狀態，在此狀態下恒溫至少8個小時，并對石英坩堝口進行熔封處理，之后按照本技術領域公知的下降法生長摻鉈碘化鈉單晶體。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京濱松光子技術股份有限公司;
- 發明人張紅武;黃朝恩;
- 地址100070 北京市豐臺區南四環西路188號11區18號樓
- 申請號CN200910078944.X
- 申請時間2009年03月02日
- 申請公布號CN101824646B
- 申請公布時間2012年05月30日
- 分類號C30B11/00(2006.01)I;C30B29/12(2006.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
