摘要：本發明的背面拋光結構單晶硅太陽能電池的制備方法，包括：采用高濃度堿溶液對硅片進行拋光處理，在硅片的正面和背面均形成拋光結構；在硅片的背面形成一層掩膜；采用低濃度堿溶液對硅片進行制絨，在掩膜的保護下，只在硅片的正面形成金字塔絨面結構；對硅片進行擴散前清洗，去除掩膜，保留硅片背面的拋光結構；對硅片表面進行磷擴散形成N+層；以及電極的制備。本發明的方法可以簡便有效地制備出背面拋光結構單晶硅太陽能電池，并進一步提高太陽能電池的光電轉換效率。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人張勤杰;杜飛龍;傅建奇;李秀青;華永云;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201410043107.4
- 申請時間2014年01月29日
- 申請公布號CN103746044A
- 申請公布時間2014年04月23日
- 分類號H01L31/18(2006.01)I;
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