摘要：本發明公開了ZnS納米帶/CdS納米柱異質結的合成方法，其特征在于：包含以下步驟：首先，利用離子濺射儀在硅基片上沉積金膜，ZnS粉末放置在陶瓷舟里，并將陶瓷舟放置在管式爐的熱電偶位置處，然后，將上述的硅基片放置在ZnS粉末的下風向，通入氬氣，在氬氣的保護下將反應溫度升至900±20℃，并在此溫度反應2±0.5h，反應結束后硅片上有白色樣品生成，最后，打開裝置將CdS粉末放置在熱電偶位置處，將上述制備的白色樣品放置在距離CdS粉末下風口處，在氬氣的保護下將反應溫度升至800±20℃，并在氬氣的保護下在此溫度反應1±0.3h，待反應完成并降到室溫，在硅基片上得到淡黃色的樣品。
- 專利類型發明專利
- 申請人貴州大學;
- 發明人祁小四;謝忍;白忠臣;鐘偉;都有為;
- 地址550025 貴州省貴陽市貴州大學花溪北校區科技處
- 申請號CN201610324899.1
- 申請時間2016年05月17日
- 申請公布號CN105932099A
- 申請公布時間2016年09月07日
- 分類號H01L31/18(2006.01)I;
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