摘要：本發明公開了一種半導體熱處理工藝溫度前饋補償方法，包括：若當前實際溫度與目標溫度之間的差值不小于第一設定值，則根據目標溫度的升溫速率調整補償輸出的給定溫度，使給定溫度大于目標溫度，消除實際溫度相對于目標溫度的滯后；若當前實際溫度與目標溫度之間的差值小于第一設定值，且當前實際溫度的升溫速率不小于目標溫度的升溫速率，則根據當前實際溫度與目標溫度之間的差值調整補償輸出的給定溫度，使當前實際溫度跟蹤目標溫度的變化；若當前實際溫度與最終溫度之間的差值小于當前實際溫度與目標溫度之間的差值，則根據最終溫度，調整補償輸出的給定溫度以減小超調。本發明的方法能夠有針對性地高精度地補償，且適用性較廣。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人田博;徐冬;王艾;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號M2號樓2層
- 申請號CN201110162649.X
- 申請時間2011年06月16日
- 申請公布號CN102354244B
- 申請公布時間2013年10月02日
- 分類號G05F1/567(2006.01)I;
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