摘要：本發明公開了一種提高氮化鎵基發光二極管抗靜電能力的方法，該發光二極管外延片結構從下向上的順序依次為襯底，低溫緩沖層，未摻雜的氮化鎵高溫緩沖層，氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格結構，未摻雜的氮化鎵高溫緩沖層、N型接觸層、N型氮化鎵導電層、發光層多量子阱結構MQW、P型氮化鋁鎵電子阻擋層、P型氮化鎵導電層、P型接觸層，本發明在未摻雜的氮化鎵高溫緩沖層中插入了一氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格周期結構。氮化鋁鎵/氮化鎵超晶格周期結構的插入能有效改善材料的晶體質量，從而提高氮化鎵基發光二極管抗靜電能力，提高器件的可靠性和穩定性。
- 專利類型發明專利
- 申請人華燦光電股份有限公司;
- 發明人劉玉萍;魏世禎;
- 地址430223 湖北省武漢市東湖開發區濱湖路8號
- 申請號CN200910062768.0
- 申請時間2009年06月22日
- 申請公布號CN101645480B
- 申請公布時間2012年05月30日
- 分類號H01L33/00(2006.01)I;
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