摘要：本實用新型涉及半導體集成電路器件清潔工藝技術領域，特別涉及一種清潔晶片裝置。該清潔裝置包括壓電晶體振子、用于安裝壓電晶體振子的腔室，以及與壓電晶體振子固定連接的換能器，換能器表面具有若干個凸起的柱體，柱體間具有若干個微孔，微孔貫通至換能器的底部。通過本實用新型提供的具有貫通微孔的換能器，利用兆聲波物理傳輸原理產生與晶片特征尺寸側壁平行的作用力，對特征尺寸不會產生彎矩的效應，最大程度的減小和消除對晶片特征尺寸結構的破壞，從而提高了對殘留物的化學清除效率。
- 專利類型實用新型
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人王銳廷;吳儀;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號M2號樓2層
- 申請號CN201020597114.6
- 申請時間2010年11月05日
- 申請公布號CN201862594U
- 申請公布時間2011年06月15日
- 分類號B08B3/12(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;
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