摘要：本發明提供了一種晶體管，該晶體管包括Si襯底、溝道層、源極和漏極、覆蓋于溝道層上面的絕緣層、以及位于絕緣層上的柵極；其中溝道層為具有半導體導電特性的單原子層SnO,源漏極為具有金屬導電特性的雙原子層SnO。本發明還提供了一種通過計算和模擬構建晶體管的模型的方法。本發明提供的該晶體管由于溝道層和源漏極采用單一二維材料SnO，改善了溝道層與源漏極側壁的歐姆接觸，大大降低了兩者的接觸電阻，提高了晶體管的散熱性；通過模擬測試，證明晶體管具有高的電子遷移率。
- 專利類型發明專利
- 申請人浙江大學;
- 發明人陸赟豪;吳琛;蘭珍云;肖承誠;徐曉穎;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區浙大路38號
- 申請號CN201610632361.7
- 申請時間2016年08月04日
- 申請公布號CN106206736A
- 申請公布時間2016年12月07日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I;
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