摘要：本發明涉及SOI技術。本發明解決了現有高壓PMOS雙槽隔離的SOI晶片由于雙槽之間的N型外延層浮空，PMOS源端附近的硅層仍然需要承受電壓降導致易被擊穿的問題，提供了一種高壓PMOS雙槽隔離的SOI晶片，其技術方案為：高壓PMOS雙槽隔離的SOI晶片，包括源端金屬、金屬前介質、N型外延層及兩個隔離槽，其特征在于，還包括N型歐姆接觸區及金屬，所述兩個隔離槽之間的N型外延層上表面設置有N型歐姆接觸區，其上設置有金屬并沿金屬前介質層延伸，且與源端金屬連接。本發明的有益效果是，徹底解決電平位移電路中高端PMOS容易擊穿的問題，適用于高壓PMOS的SOI晶片。
- 專利類型發明專利
- 申請人四川長虹電器股份有限公司;
- 發明人廖紅;
- 地址621000 四川省綿陽市高新區綿興東路35號
- 申請號CN201110124853.2
- 申請時間2011年05月16日
- 申請公布號CN102201448B
- 申請公布時間2013年01月30日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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