摘要：本發明涉及SOI基上橫向雙擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件。本發明針對現有技術SOI基LDMOS器件中，僅部分漂移區參與導電的問題，公開了一種SOI基橫向雙擴散金屬氧化物半導體器件，利用漂移區n型雜質條和p型雜質條共同導電，達到漂移區的充分利用，降低導通損耗，提高器件性能。本發明的技術方案，通過在漏極電極設置n阱，在漏極n阱中設置漏極p+接觸區、漏極n+接觸區，引入寄生PNP晶體管實現漂移區n型雜質條和p雜質條共同參與導電，能夠達到功率集成電路對于低電阻的要求，可以達到200～700V器件耐壓要求，可用在高壓電平位移單元中，該電平位移單元可應用為PDP尋址集成電路中作為有源元件。
- 專利類型發明專利
- 申請人四川長虹電器股份有限公司;
- 發明人梁濤;羅波;孫鎮;廖紅;黃勇;黃光佐;
- 地址621000 四川省綿陽市高新區綿興東路35號
- 申請號CN200910312670.6
- 申請時間2009年12月30日
- 申請公布號CN101771082B
- 申請公布時間2012年04月18日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;
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