摘要：本發明公開了一種高邊橫向雙擴散場效應晶體管，包括：P型襯底，N?外延層，P+埋層，P+對通隔離，場氧，P?top層，P?體區，P?體區接觸P+，N+源電極，柵氧層，多晶硅柵電極，N+漏電極。所述P型襯底的上面是N?外延層。所述N?外延層的一側設有P+埋層和P+對通隔離，用以隔離不同類型的器件。進一步，P?體區和P+對通隔離之間設有另一個P?體區，P?體區內設有體區接觸P+。P?體區和P?體區之間設有P?top層。本發明源電極和襯底之間的雪崩擊穿電壓大大提高，即隔離性能有了很大的改進，滿足了較高工作電壓領域的應用。
- 專利類型發明專利
- 申請人浙江大學;
- 發明人吳煥挺;韓雁;張世峰;張煒;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區浙大路38號
- 申請號CN201410271875.5
- 申請時間2014年06月18日
- 申請公布號CN104037231B
- 申請公布時間2016年08月31日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;
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