摘要：本發明涉及SOI技術。本發明解決了現有SOILDMOS器件擊穿時電場分布呈現兩端高、中間低，其不能充分利用漂移區的問題，提供了一種SOI變埋氧層厚度器件及其制備方法，其技術方案可概括為：SOI變埋氧層厚度器件，包括源極、漏極、埋氧層及n型頂層SOI雜質材料層，其特征在于，所述埋氧層的厚度從源極到漏極逐漸減小，n型頂層SOI雜質材料層的厚度從源極到漏極逐漸增加。本發明的有益效果是，其擊穿性能大為提高，適用于SOILDMOS器件。
- 專利類型發明專利
- 申請人四川長虹電器股份有限公司;
- 發明人梁濤;羅波;
- 地址621000 四川省綿陽市高新區綿興東路35號
- 申請號CN201010253170.2
- 申請時間2010年08月13日
- 申請公布號CN101916784B
- 申請公布時間2012年03月14日
- 分類號H01L29/78(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;
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