摘要：本發明公開了一種在非硅襯底上制備Mg2Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步驟：第一、在清潔的非硅襯底上沉積一層Si膜，然后在Si膜上沉積一層Mg膜；第二、退火工藝，沉積完成后的樣品置于高真空退火爐中進行低真空氛圍退火，最后制備得到Mg2Si半導體薄膜。
- 專利類型發明專利
- 申請人貴州大學;
- 發明人謝泉;廖楊芳;肖清泉;梁楓;王善蘭;吳宏仙;房迪;張晉敏;陳茜;謝晶;范夢慧;黃晉;章競予;
- 地址550025 貴州省貴陽市貴州大學花溪北校區科技處
- 申請號CN201511002465.1
- 申請時間2015年12月29日
- 申請公布號CN105483617A
- 申請公布時間2016年04月13日
- 分類號C23C14/22(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;
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