摘要：本發明公開了一種半導體材料SiC薄膜的制備工藝，它包括下述步驟：步驟1、選取石墨片為襯底材料，并將石墨片打磨清洗干燥；步驟2、將石墨片固定在蒸鍍室上方的樣品架上，Si顆粒放置在蒸發坩堝內；步驟3、蒸鍍；步驟4、蒸鍍后冷卻；步驟5、將蒸鍍冷卻后的石墨片固定在磁控濺射濺射室的轉盤上，C靶材放置在射頻靶上，濺射氣體為Ar氣；步驟6、濺射；步驟7、濺射后冷卻，再取出置于高真空退火爐中退火，形成半導體SiC多晶薄膜；解決了傳統采用單晶硅襯底作為基片制備碳化硅薄膜存在的成本高、工藝繁瑣以及硅襯底與碳化硅之間存在較大的晶格失配和熱膨脹失配，嚴重限制了其器件的性能和使用壽命等問題。
- 專利類型發明專利
- 申請人貴州大學;
- 發明人謝泉;鞠云;張晉敏;肖清泉;
- 地址550025 貴州省貴陽市貴州大學花溪北校區科技處
- 申請號CN201410273829.9
- 申請時間2014年06月19日
- 申請公布號CN104018124A
- 申請公布時間2014年09月03日
- 分類號C23C14/26(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;
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