摘要：本發明公開了高溫陶瓷基薄膜熱電偶及其制作方法，屬于傳感器制備技術及高溫溫度測量技術領域。該熱電偶依次包括陶瓷基底1、SiO2層2、第一Al2O3層3、中間層4、第二Al2O3層5、熱電偶層6和第三Al2O3層7。其有益效果：1、采用SiO2過渡層，增強絕緣層與陶瓷基底界面之間的結合力；2、采用Al2O3-Si3N4/AlN-Al2O3復合絕緣層，產生優良的絕緣性能同時還可以防止氧氣進入，減少內層薄膜的氧化，保證傳感器具有良好的動態響應。3、有效降低薄膜由于熱載荷引起的熱應力，保證成膜質量和薄膜的穩定性。
- 專利類型發明專利
- 申請人西北工業大學;
- 發明人苑偉政;馬旭輪;馬炳和;鄧進軍;朱鵬飛;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請號CN201310280791.3
- 申請時間2013年07月05日
- 申請公布號CN103344350B
- 申請公布時間2015年07月08日
- 分類號G01K7/02(2006.01)I;H01L35/32(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
