摘要：本發明公開了屬于納米材料制備技術領域的一種ZnO納米柱和ZnO納米片層復合結構材料的制備方法。本發明的方法采用一步水熱反應法，將氧化鋁薄片和FTO襯底同時放入高壓反應釜中，在反應體系中使ZnNO3.·6H2O和烏洛托品水溶液進行水熱反應。反應一段時間后，冷卻至室溫，得ZnO納米柱和ZnO納米片層的復合結構材料。此材料兼具了納米陣列結構的電子直線傳輸通道功能,又提高了光陽極的比表面積，保證了高的電子傳輸效率以及大的染料吸附能力；片層結構直接生長于FTO，提高了光陽極材料和FTO之間的接觸能力，更有益于提高DSSC的開路電壓和短路電流，在DSSC領域具有廣泛的實際應用價值。
- 專利類型發明專利
- 申請人華北電力大學;
- 發明人李美成;姜永健;余航;李曉丹;余悅;趙興;
- 地址102206 北京市昌平區朱辛莊北農路2號
- 申請號CN201310008117.X
- 申請時間2013年01月09日
- 申請公布號CN103073194B
- 申請公布時間2015年06月10日
- 分類號C03C17/23(2006.01)I;C01G9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01G9/20(2006.01)I;
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