摘要：本發明涉及一種介孔SiO2薄膜的制備方法，包括如下的步驟：1)將正硅酸四乙酯溶于乙醇，滴加稀鹽酸，混合攪拌；所述的正硅酸四乙酯與稀鹽酸的摩爾比為1:1×10?5～8×10?5；2)向步驟1)得到的混合液中繼續滴加稀鹽酸，攪拌陳化，得到溶液A；所述的繼續滴加的稀鹽酸與正硅酸四乙酯的摩爾比為0.02～0.06:1；3)十六烷基三甲基溴化銨溶于乙醇，得到溶液B；4)將溶液B加入到溶液A中，攪拌并陳化0.5～2小時，得到產品；5)采用旋涂法在基板上鍍膜，然后熱處理，獲得介孔SiO2薄膜；本發明還涉及介孔SiO2薄膜及其應用。本發明簡化了介孔SiO2薄膜的合成方法，在常溫下制備溶膠并進行鍍膜，經過熱處理后得到具有增透效果的孔道有序排列的介孔膜。
- 專利類型發明專利
- 申請人浙江大學;
- 發明人趙高凌;張馨文;占豐;詹凌曈;孟偉杰;韓高榮;
- 地址310027 浙江省杭州市西湖區浙大路38號
- 申請號CN201610368262.2
- 申請時間2016年05月27日
- 申請公布號CN106045330A
- 申請公布時間2016年10月26日
- 分類號C03C17/23(2006.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
