摘要：本發明公開了一種氣液兩相霧化清洗裝置，涉及半導體晶片工藝技術領域，所述裝置包括氣液兩相霧化噴頭，還包括液相流體的流量控制裝置。本發明的氣液兩相霧化清洗裝置在清洗過程中增加了垂直于晶片溝槽的物理力，促進晶片溝槽中雜質和污染物向液相流體主體的傳遞，提高了清洗的效率和效果；同時本發明通過液相流體的流量控制裝置來降低液相流量，采用霧化流體沖洗晶片表面，減少了對晶片的破壞。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人蘇宇佳;吳儀;
- 地址100015 北京市朝陽區酒仙橋東路1號M2樓2層
- 申請號CN201210506549.9
- 申請時間2012年11月30日
- 申請公布號CN103008299A
- 申請公布時間2013年04月03日
- 分類號B08B7/04(2006.01)I;B05B7/04(2006.01)I;B05B7/12(2006.01)I;
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