摘要：本發明公開了一種抗輻射SRAM時序控制電路及時序處理方法，用于解決現有抗輻射SRAM時序控制電路在輻射環境下可靠性差的技術問題。技術方案是在存儲器陣列中增加一行一列存儲單元來跟蹤存儲器關鍵信號線包括字線和位線的狀態，每次存儲器讀寫操作都選中跟蹤單元的行和列，將跟蹤單元的字線和位線的狀態反饋給時序控制單元。時序控制單元依據反饋信號及輸入時鐘產生SRAM的內部時序控制信號，實現數據的寫入和讀出。由于采用存儲單元跟蹤技術，整個時序完全依賴于存儲器自身的速度變化自動調節?；赟RAM時序控制電路的時序處理方法使得SRAM在受輻射影響內部電路工作速度的情況下仍然能夠產生正確的時序信號，避免了誤操作。
- 專利類型發明專利
- 申請人西北工業大學;
- 發明人魏曉敏;高德遠;魏廷存;陳楠;高武;鄭然;王佳;胡永才;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請號CN201210296626.2
- 申請時間2012年08月20日
- 申請公布號CN102855927B
- 申請公布時間2015年01月28日
- 分類號G11C11/413(2006.01)I;
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