摘要：本發明涉及一種化學氣相沉積法制備同軸碳化硅/二氧化硅納米電纜的方法，將浸泡后的碳/碳復合材料置于在沉積爐，抽真空再通氬氣至常壓，然后向裝有甲基三氯硅烷的鼓泡瓶中通入載氣氫氣，將反應氣源甲基三氯硅烷帶入爐堂內，同時通入稀釋氬氣及稀釋氫氣進入反應。本發明合成工藝簡單，不需要預先合成工藝；碳化硅/二氧化硅（內芯/外層）同軸納米電纜在常壓下制得，對設備的要求低；沉積溫度較低，降低了制備成本；此外，還有一個突出的特點是可以通過調整沉積工藝參數有效控制碳化硅/二氧化硅（內芯/外層）同軸納米電纜的純度和均勻性。這些優點讓大規模工業生產碳化硅/二氧化硅（內芯/外層）同軸納米電纜成為可能。
- 專利類型發明專利
- 申請人西北工業大學;
- 發明人李賀軍;強新發;張雨雷;李克智;魏建鋒;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請號CN201210243056.0
- 申請時間2012年07月13日
- 申請公布號CN102810359B
- 申請公布時間2014年07月02日
- 分類號H01B13/00(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;
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