摘要：本發明提供一種半導體生產工藝中激光退火技術范圍內的一種采用激光輔助加熱的激光退火方法及裝置，該方法主要是采取兩臺激光器，一臺激光器用于激光輔助加熱，是半導體表面活化，為激光退火做準備工作；一臺激光器用于為半導體進行激光退火。兩束激光經過相關光學系統后同軸輸出，照射到掃描鏡上。掃描光學系統被裝配在精密機械組件上由電動控制。電動控制系統采用檢流計控制結構，當輸入電壓為-10V至+10V時，機械結構會對應偏轉-20°至+20°，從而可以使對輸入電壓的控制轉化為對機械結構轉動角度的精確控制。光學鏡片被固定在機械結構上，通過控制掃描光學系統的旋轉角度來調節激光光束的照射位置。從而實現了激光光束在水平方向和豎直方向上的掃描。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京中科思遠光電科技有限公司;
- 發明人彭海波;彭俊;劉全力;
- 地址100193 北京市海淀區東北旺南路26號院內2號樓2層
- 申請號CN201110356480.1
- 申請時間2011年11月11日
- 申請公布號CN102489876B
- 申請公布時間2014年06月25日
- 分類號B23K26/064(2014.01)I;B23K26/082(2014.01)I;B23K26/70(2014.01)I;H01L21/268(2006.01)I;
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