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          環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝

            摘要:本發明公開了一種環境友好半導體材料Mg2Si薄膜的磁控濺射制備工藝,它包括:首先清洗Si基片;其次采用高真空磁控濺射系統在Si單晶上沉積200-500nm純金屬Mg膜,形成Si/Mg薄膜結構;最后放置于真空退火爐內。對真空退火爐抽真空,退火爐背底真空小于等于10-3Pa,往高真空的退火爐內通入氬氣,然后封閉退火爐進行退火處理。整個退火過程中,保持退火爐腔體內氬氣氣壓為10-104Pa的氬氣氛圍、350-550℃退火3-8小時,直接形成環境友好半導體Mg2Si薄膜。本發明的磁控濺射法制備工藝,具有鍍膜層與基片的結合力強、鍍膜層致密、均勻等優點,適用于工業化的大規模批量生產。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人貴州大學;
          • 發明人謝泉;肖清泉;張晉敏;
          • 地址550025 貴州省貴陽市花溪區貴州大學科技處
          • 申請號CN201010147304.2
          • 申請時間2010年04月15日
          • 申請公布號CN101798680A
          • 申請公布時間2010年08月11日
          • 分類號C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;
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