摘要：本發明涉及一種高結晶性ZnO薄膜的制備工藝。其主要工藝步驟為：(1)制備ZnO陶瓷靶材；(2)清洗玻璃襯底；(3)在玻璃襯底上制備ZnO薄膜。在本發明中磁控濺射時濺射腔內本底真空度為1.8×10-4Pa，濺射功率統一定為150W，靶材與襯底之間的距離定為10cm，基片溫度的范圍為450℃～600℃，氬氧比為40∶0～20∶20(sccm∶sccm)，濺射氣壓為1Pa。本發明所制備的ZnO薄膜透明度好，具有極好的結晶性，晶粒具有很好的c軸取向生長特性。
- 專利類型發明專利
- 申請人廣東志成冠軍集團有限公司;
- 發明人曾祥斌;楊艷艷;王小錦;李青;李民英;陳宇;
- 地址523718 廣東省東莞市塘廈鎮田心工業區
- 申請號CN201010186969.4
- 申請時間2010年05月26日
- 申請公布號CN101845615A
- 申請公布時間2010年09月29日
- 分類號C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;
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