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          RF磁控濺射制備單晶透明ZnO薄膜的方法

            摘要:本發明涉及一種高結晶性ZnO薄膜的制備工藝。其主要工藝步驟為:(1)制備ZnO陶瓷靶材;(2)清洗玻璃襯底;(3)在玻璃襯底上制備ZnO薄膜。在本發明中磁控濺射時濺射腔內本底真空度為1.8×10-4Pa,濺射功率統一定為150W,靶材與襯底之間的距離定為10cm,基片溫度的范圍為450℃~600℃,氬氧比為40∶0~20∶20(sccm∶sccm),濺射氣壓為1Pa。本發明所制備的ZnO薄膜透明度好,具有極好的結晶性,晶粒具有很好的c軸取向生長特性。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人廣東志成冠軍集團有限公司;
          • 發明人曾祥斌;楊艷艷;王小錦;李青;李民英;陳宇;
          • 地址523718 廣東省東莞市塘廈鎮田心工業區
          • 申請號CN201010186969.4
          • 申請時間2010年05月26日
          • 申請公布號CN101845615A
          • 申請公布時間2010年09月29日
          • 分類號C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;
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