摘要：一種采用標準CMOS邏輯工藝實現高耐壓的整流器，其特征是由電容(C1)-電容(C4)、NMOS晶體管(T1)-NMOS晶體管(T4)、電阻(RL)等構成；本發明通過在整流器所使用的晶體管的柵極上串聯電容或類電容結構的器件來分壓加至在晶體管的柵極上的電壓，用于集成基于采用標準CMOS邏輯工藝實現的不揮發型的存儲器的RFID電子標簽/智能卡芯片的實現。采用本發明整流器，有助于集成基于采用標準CMOS邏輯工藝實現的不揮發型的存儲器，并有助于降低RFID電子標簽/智能卡芯片的制造和工藝成本。
- 專利類型發明專利
- 申請人四川凱路威電子有限公司;
- 發明人王兼明;毛軍華;巫向東;
- 地址621000四川省綿陽市高新區綿興東路96號1樓
- 申請號CN200610021583.1
- 申請時間2006年08月11日
- 申請公布號CN100553098C
- 申請公布時間2009年10月21日
- 分類號H02M7/217(2006.01)I;H02M7/219(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;
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