近期向三星電子供貨原子層刻蝕（ALE(Atomic layer etch)）和區域選擇原子層沉積（ASD(area selective deposition)）設備.
設備由2個工藝模組和傳送模組構成的 Cluster type ，工藝整合一體化程序. 擁有500℃以上高溫及臭氧和等離子工藝能力,Z為開發半導體元件的次世代的設備. ALE(原子層刻蝕)設備區別ALD(原子層沉積)設備是一款可利用原子層單位刻蝕沉積膜的設備,ASD(區域選擇沉積)區別ALD(原子層沉積)則是選擇性指定區域原子層沉積的設備.
目前很多學校,研究所以及企業采用ALE和ASD工藝積極研發未來前端集成元件. 期待ALE/ASD設備對未來半導體前端技術發展有較多的貢獻.
