mems加工|微納加工|硅片光刻加工|鍍金鍍膜刻蝕微納mems電路線路圖形
實驗室平臺擁有設備等共計200余臺,其中主要設備(40余臺)包括:
·圖形化設備
電子束曝光、激光直寫、臺式接觸式光刻機、桌面式光刻機等
·薄膜沉積設備
ICP-PECVD、LPCVD、磁控濺射、電子束蒸發鍍膜、PE-ALD、DLC薄膜沉積等、電鍍 (Au、Ag、Cu、Ni、Sn等)
·刻蝕設備
ICP—RIE、RIE、IBE、DRIE深硅刻蝕、XeF2表硅刻蝕機、HF氣相刻蝕等干法刻蝕設備和滿足體硅、介質膜、金屬氧化物、金屬等的濕法刻蝕設備以及相配套的二氧化碳超臨界釋放設備
·表征和測試設備
AFM、臺階儀、Raman光譜、SEM、FIB、共聚焦顯微鏡、白光干涉儀、紅外熱成像儀、FEMTO—TOOLS微納力學測試儀、超高速相機、3D多普勒激光測振儀、DC/RF探針臺(60GHZ)、網絡分析儀(60GHz)、半導體分析儀、阻抗分析儀以及高精度電學原表等
·器件后道封裝設備
晶圓減薄、CMP拋光、晶圓鍵合、貼片機、劃片機、打線機、固晶機、激光焊接機等團隊自主研發的加工設備,封測設備。
平臺技術能力
·工藝整合及平臺能力
—導電DLC膜層(超滑副,導電超硬膜層等)
—AIN/PZT薄膜工藝(壓電驅動材料)
—大尺寸高定向碳材料生長和器件加工工藝
—鍵合:陽極鍵合、玻璃焊料鍵合、共晶鍵合(AIGe)、擴散鍵合工藝
—氣氛或真空封裝、Reseal
—研磨減薄和原子級拋光工藝
—硅基全濕法微納加工工藝—柔性襯底微納器件加工
·制造與封測能力
—硅通孔(TSV)玻璃通孔(TGV)
—壓力/氣體/紅外/濕度傳感器
—微流控芯片加工和相關測試
一超滑射頻/慣性器件加工能力
—Die的全封裝能力
應用類別 | 設備名稱 | 設備型號 | 工藝參數 |
鍍膜 | 低壓力化學氣相沉積(LPCVD) | HORIS L6471-1 | 可沉積SIN,TEOS,poly等薄 膜 1-50片/爐 |
熱氧化 | 爐管熱氧化 | ||
退火 | 快速退火爐RTP | Annealsys AS-One 150 | 最.高溫度到1500℃, 升溫速率 最.大200℃/s |
FIB加工 | 聚焦離子束 FIB | Thermo Fisher Scios 2 HiVac | |
TEM樣品制備 | |||
SEM形貌觀測 | 場發射環境掃描電鏡ESEM | Thermo Fisher Quattro S | |
SEM能譜分析 | |||
電子束蒸發鍍膜-金屬 | 電子束蒸發 | FU-20PEB-950 | 蒸鍍金屬薄膜、可做lift-off工藝鍍膜、8寸基片向下兼容 |
電子束蒸發鍍膜-介質 | 電子束蒸發 | FU-12PEB | 蒸鍍介質薄膜一爐可鍍10片四寸基片 |
磁控濺射鍍膜-金屬 | 磁控濺射系統 | FSE-BSLS-RD-6inch | 濺射金屬薄膜、6寸基片 |
原子層沉積 | 等離子體增強原子層沉積系統 | ICPALD-S200 | 當前以Al2O3為主 |
DLC鍍膜 | 類金剛石薄膜化學沉積系統 | CNT-DLC-CL200 | |
干法刻蝕 | 干法刻蝕機 | 北方華創 | 硅Bosch和超低溫刻蝕、SiO2與石英深刻蝕,8英以下 |
IBE刻蝕 | 離子束刻蝕系統(IBE) | AE4 | 三維結構材料刻蝕,刻蝕陡直度優于85度,刻蝕精度10nm |
等離子體去膠 | 微波等離子體去膠機 | Alpha Plasma | |
紫外光刻 | 紫外光刻機 | SUSS MA6BA6GEN4 | 對準精度:±0.5um,分辨率600nm |
電鍍 | 電鍍機 | WPS-200MT | 鍍Cu、鍍Au、鍍鎳/鎳合金 |
臨界干燥 | 超臨界點干燥儀 | Automegasamdri-915B | |
劃片 | 切割機劃片機 | Disco D323 | |
晶圓鍵合 | 晶圓鍵合機 | SUSS MicroTec SB6Gen2 | 陽極鍵合 |
AFM測試 | 高分辨原子力顯微鏡 | Oxford Cypher ES | |
原子力顯微鏡 | Park Systems NX20 | ||
電子束光刻 | 電子束光刻機 | Elionix ELS-F125G8 | 不含勻膠等費用,材料費根據用膠類型另計 |
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