隨著人工智能(AI)、深度學習、大數據、 game 及 5G移動技術快速發展，導致數據儲存量上升，半導體內存被要求低耗化。為解決這個問題目前商用化的有 Dram，Flash Memory(NAND) 等儲存技術變更到新一代儲存技術為一大難題，每秒以千兆、無延遲處理高容量數據以目前的技術很難實現，新一代技術需要像DRAM速度要快，兼具flash memory的關閉電源數據也會保存等特性，還需低耗。
目前超越基準儲存的新概念半導體儲存有 Ferroelectric RAM(FRAM 或 FeRAM), magnetic RMA( MRAM), phase-charge ram(PRAM 或 PCRAM)和 resistive RAM(RRAM) 等都在研發階段，而且受到關注度也比較高。這些儲存技術特點是關閉電源數據也不會丟失的非揮發性(Nonvolitile),，可以很快的進行switching信息儲存。 但因為不能進行長時間switching，內部構造粗糙，不足的高集成度，費用也比較高等原因，僅在特定領域使用，為改善這些，全世界都在用核心的ALD工程來進行研究。采用新一代儲存的原子沉積(ALD) 技術fram是儲存強誘電體的電極數據，一邊儲存是0，另外一邊儲存1為基本構造，和dram相似，但有非揮發性的特點。很長時間pzt材料用于強誘電體，缺點為當厚度變薄的時電極無法維持的問題。近期受到關注的有使用ALD技術，厚度為數nm沉積的 Metal Oxide-doped HFO2， 適用與28nm node的高集成密度。MRAM是自主阻抗儲存，根據外部磁氣場,磁性層的磁化方向，利用自主阻抗變化顯示數據的1, 0，即磁氣場方向一樣時表示為 0，不同時表示為1。無高速低電壓動作及特性熱化，而且集成度也很高。多數研究中用tunnel oxide 適用ALD技術沉積的MgO或 ZnO等。PRAM是利用物質相(phase)變化的非揮發性儲存，相從非晶致狀態變化到結晶致狀態時儲存數據。相轉移物質使用GST germanium-antimony-tellurium (gst) ，使用ALD技術 step coverage制作了優Xiu的 PRAM儲存。rram是絕緣體或半導體的阻抗變化儲存。通過氧氣空缺，從絕緣物質做成阻抗變化識別0, 1來使用。絕緣物質為通過原子層沉積的SiO2, HFO2,HfAlO, Ta2O5等。
許多高校及研究所還在使用原子沉積技術（ Lucida Series ALD）進行新一代儲存研究得到很好的結果。
原子沉積(ALD)技術大部分用在新一代儲存，優點為原子單位厚度調節及均勻性， 步進覆蓋好，對于未來新一代儲存商用化做到很大貢獻。
ALD原子層沉積系統
