原子層沉積設備（ALD）用于新型半導體產品（保護涂層用）
應用于半導體領域設備中使用的配件保護涂層的原子層沉積設備，此設備可以給常保養配件做防腐蝕及防等離子電弧作用的涂層。 客戶使用此設備，可提高工藝的安全性和減少部分損傷，提高配件的使用壽命，減少維護周期從而降低運營費用。 在半導體產業中，生產率及成本競爭力越來越重要。通過此設備特殊沉積功能，減少高價半導體設備產品發生顆粒及損傷，隨著配件更換周期減少生產費用減少隨之而增加的運營時間，可大幅提高企業的競爭力。 現傳統配件保護用涂層一般使用熱噴涂層，陽極氧化涂層，濺射涂層，但這些方式的涂層針對形狀復雜，細微的產品上受限于涂層的均勻性。但原子層沉積的應用可以解決這些問題。 可用于蝕刻工藝和腔體內部Dry-cleaning的腐蝕性氣體和等離子體環境中使用的配件中，特別復雜形狀的Showerhead或Electrostatic chuck等可用于原子層沉積。 采用CVD或PVD方式無法做到Showerhead眾多微細孔中均勻地涂層，所以必須使用原子層沉積，ESC也要求為硅片lift的銷孔內部等均勻的沉積，故而原子層沉積會成為更好的方案。 目前Al2O3原子層沉積方式防護涂層已在多個領域驗證。并在積極研發比Al2O3防腐蝕能力更加出色的Y2O3。 本設備采用D創的高生產率大面積原子層沉積技術，可一次性加載多個半導體設備配件，同時實現均勻沉積。
