摘要：本發明涉及電致發光激勵臨界轉變溫度提高的MgB2基超導體及其制備方法，利用Y2O3:Eu3+發光體異位摻雜改變MgB2超導體臨界轉變溫度。本發明采用水熱法制備了兩種不同發光強度的摻雜劑Y2O3:Eu3+Ⅰ和Y2O3:Eu3+II納米棒，異位摻雜法制備Y2O3:Eu3+發光體摻雜的MgB2基超導體。Y2O3:Eu3+發光體所占質量分數為1％和2％。隨著摻雜劑發光強度的增加，MgB2基超導體的Tc值不斷增加。在無外界磁場的條件下，當用發光強度高的Y2O3:Eu3+II發光體作為摻雜劑，且摻雜濃度為2％時，MgB2基超導體的Tc＝35.9K較純MgB2的Tc＝35.8K高。
- 專利類型發明專利
- 申請人西北工業大學;
- 發明人趙曉鵬;陶碩;李勇波;陳國維;
- 地址710072 陜西省西安市碑林區友誼西路127號
- 申請號CN201610206412.X
- 申請時間2016年04月05日
- 申請公布號CN105788752A
- 申請公布時間2016年07月20日
- 分類號H01B12/00(2006.01)I;H01B12/02(2006.01)I;H01B12/04(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;C01B35/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;
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