摘要：本發明提供了一種氣液兩相霧化清洗裝置，涉及半導體晶片工藝技術領域，包括氣體管道、液體管道以及氣液兩相霧化噴嘴，氣體管道和液體管道的一端設置在擺臂上，其另一端連通氣液兩相霧化噴嘴以形成霧化顆粒，擺臂帶動氣液兩相霧化噴嘴在晶片邊緣與晶片中心之間做圓弧往復運動。本發明通過氣液兩相霧化噴嘴結構，使高速液體流與高速氣體流充分的相互作用，并通過調整氣體流速和小流量液體流速，形成顆粒尺寸均一的超微霧化液滴，經過高速氣體流加速以后，噴射在晶片表面，完成清洗，本發明促進了溝槽中雜質向流體主體的傳遞，提高清洗的效率，改善清洗效果，由于霧化顆粒的質量小，減少了對晶片表面圖形結構的損傷。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人滕宇;吳儀;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201510261375.8
- 申請時間2015年05月21日
- 申請公布號CN104841660A
- 申請公布時間2015年08月19日
- 分類號B08B3/02(2006.01)I;B08B13/00(2006.01)I;
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