摘要：一種具有前饋補償的半導體工藝設備的溫控方法，該半導體工藝設備中包括一個或多個控溫區的溫控，該方法包括根據半導體工藝預設的溫控條件，構建溫控的前饋補償參考信號軌跡，即將整個溫控升溫階段劃分為包括高速升溫階段和標準升溫階段，所述高速升溫階段完成從初始溫度t到第一中間溫度t’的升溫過程，所述標準升溫階段完成從第一中間溫度t’到目標溫度T的升溫過程；標準升溫階段的參考信號軌跡滿足所述預設溫控條件，高速升溫階段的升溫速率高于標準升溫階段的升溫速率；以及基于獲得的前饋補償參考信號的軌跡，進行該溫控系統的控制操作。本發明能減弱溫控系統時滯性的影響，加快爐體的升溫效果，提高半導體工藝設備的產能。
- 專利類型發明專利
- 申請人北京七星華創電子股份有限公司;
- 發明人王峰;付運濤;劉晨曦;
- 地址100016 北京市朝陽區酒仙橋東路1號
- 申請號CN201410554332.4
- 申請時間2014年10月17日
- 申請公布號CN104298268B
- 申請公布時間2017年01月25日
- 分類號G05D23/00(2006.01)I;
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