摘要：本發明公開了一種利用原子層沉積技術對熒光粉包覆納米級氧化物薄膜的方法，包括如下步驟：1）打開微納尺度粉體保護層包裹裝置的外部腔體，取出內部的粉末反應裝置，將熒光粉放入后，密封外部腔體；2)開啟高純氮氣作為載氣，開啟普通氣體作為脈沖氣體；3)設置參數；4)選擇沉積模式；5）沉積參數設置；6)設置腔體轉速；7）開啟真空泵；8)開始循環沉積。本發明工藝在之前發明的裝置的基礎上，通過調整工藝參數，實現了原子層沉積（ALD)技術在熒光粉外圍包覆隔膜薄膜層以提高其性能的目的，對各類熒光粉的包覆都能達到單層包覆，且包覆膜非常致密。
- 專利類型發明專利
- 申請人無錫邁納德微納技術有限公司;
- 發明人左雪芹;梅永豐;
- 地址214028 江蘇省無錫市新區長江南路35號空港產業園科技商務中心B棟603室
- 申請號CN201310527174.9
- 申請時間2013年10月31日
- 申請公布號CN103556129A
- 申請公布時間2014年02月05日
- 分類號C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;
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