摘要：一種用于MOCVD設備的噴淋頭，屬于氣體噴淋裝置，解決現有噴淋頭存在的原料氣體不能均勻混合的問題，同時減少在噴淋頭頂部出現沉積堵塞噴口的問題。本實用新型包括底座、下隔板、上隔板、頂蓋和中心導管，頂蓋和底蓋之間被隔成上層氣腔、中間氣腔和底層腔體；多根上層氣管平行穿過上隔板、下隔板和底蓋，多根下層氣管平行穿過下隔板和底蓋，各上層氣管和下層氣管下端分別裝設有長噴嘴和短噴嘴；長噴嘴和短噴嘴在底蓋下表面交錯均勻排列。本實用新型通過對長、短噴嘴的分配方式，可以提高反應腔內氣體均勻性，提高反應速率，抑制反應物在頂部避免沉積造成噴口堵塞的情況，能夠提高晶體生長質量，顯著提高晶體成品率，降低生產成本。
- 專利類型實用新型
- 申請人華中科技大學;
- 發明人張之;方海生;蔣志敏;鄭江;劉勝;甘志銀;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
- 申請號CN201420856066.6
- 申請時間2014年12月29日
- 申請公布號CN204401102U
- 申請公布時間2015年06月17日
- 分類號C23C16/455(2006.01)I;
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