摘要：本發明涉及一種脈沖調制射頻等離子體增強原子層沉積裝置及方法，所述的脈沖調制射頻等離子體增強原子層沉積裝置，包括真空反應腔體，真空反應腔體內底部設有基底，真空反應腔體分別連接真空機械泵和前驅體輸入管路，其特征在于，真空反應腔體內頂部設有等離子體電極，等離子體電極依次連接射頻功率匹配器、脈沖調制射頻電源和脈沖延時器。所述的方法為在沉積至少一種前驅體時，通過脈沖調制射頻電源產生等離子體輔助沉積。本發明的優點是降低了沉積過程中離子轟擊對沉積薄膜的影響，并且防止沉積過程中腔體溫度的上升。
- 專利類型發明專利
- 申請人東華大學;無錫邁納德微納技術有限公司;
- 發明人石建軍;劉新坤;黃曉江;梅永豐;
- 地址201620 上海市松江區人民北路2999號
- 申請號CN201110041566.5
- 申請時間2011年02月21日
- 申請公布號CN102127756A
- 申請公布時間2011年07月20日
- 分類號C23C16/505(2006.01)I;
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