摘要：一種18顆粒任意位寬存儲接口的單顆粒容錯方法，包括：采用256+32編碼形式的糾錯編碼矩陣，并采用數據縱向積累校驗字的方式進行校驗；其中，糾錯編碼矩陣包括288行32列，其中糾錯編碼矩陣自上而下分為18個子矩陣，每個子矩陣包括16行32列；其中，在用Hi表示糾錯編碼矩陣的第i行、用Erj和Eri以及Ebi和Ebj表示單位矩陣情況下，糾錯編碼矩陣H滿足以下3個條件：第一，任意子矩陣內各行向量線性不相關；第二，任意兩個子矩陣滿足Hi*Eri!=Hj*Erj(i!=j),Erj和Eri的取值范圍為{1,2,3,4,5,6,…255}；第三，任意三個子矩陣滿足Hi*Ebi+Hj*Ebj!=Hk*Erk(i!=j),Ebi，Ebj取值范圍為{1,2,4,8,16,32,…128}。本發明提供了一種能夠針對18片任意位寬顆粒的存儲接口提供單顆粒容錯能力、且能高效檢出雙顆粒故障的單顆粒容錯方法。
- 專利類型發明專利
- 申請人無錫江南計算技術研究所;
- 發明人高劍剛;徐江川;姚玉良;宋新亮;吳智;施得君;胡舒凱;
- 地址214083 江蘇省無錫市濱湖區軍東新村030號
- 申請號CN201210423061.X
- 申請時間2012年10月29日
- 申請公布號CN102929742A
- 申請公布時間2013年02月13日
- 分類號G06F11/10(2006.01)I;
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