摘要：本發明公開了一種閃存錯誤模式的測試方法,隨著閃存存儲容量的提升，存儲單元受到強烈的噪聲干擾，導致比特錯誤數量超過了當前糾錯碼的糾錯能力，使得當前的糾錯碼不能滿足保證數據可靠性的需求，為了針對閃存的錯誤特征設計有效的糾錯碼，需要對閃存的錯誤模式有一個清晰的理解，因此，本發明涉及一種閃存錯誤模式的測試方法，該方法包括兩個階段，數據寫入和檢驗。在測試過程中，我們設計了兩個關鍵的數據結構：地址列表用于存儲數據寫入閃存時的地址和錯誤信息列表用于存儲頁對應的比特錯誤信息,在數據檢驗階段,通過特殊的操作繞過控制器中的糾錯過程獲取存儲在閃存中的原始數據,通過該測試方法能夠對閃存各種錯誤模式進行研究和分析。
- 專利類型發明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發明人吳非;謝長生;張猛;夏倩;馬瑞祥;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
- 申請號CN201610846506.3
- 申請時間2016年09月20日
- 申請公布號CN106445725A
- 申請公布時間2017年02月22日
- 分類號G06F11/10(2006.01)I;
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