摘要：本實用新型公開了一種等離子體增強化學氣相沉積設備，包括反應腔體，內部設置有上極板和下級板；將下級板劃包括沉積板和槽型機構，沉積板蓋設于槽型機構的槽型開口上，形成一容置空間。將槽型機構的外表面覆蓋一層由絕緣材料形成的絕緣壁，只保留沉積板通入射頻電壓產生等離子體進行鍍膜，能夠保證等離子體的均勻性和穩定性，使得薄膜材料均勻的沉積在基片上，能夠提高制膜質量。
- 專利類型實用新型
- 申請人成都西沃克真空科技有限公司;
- 發明人向勇;傅紹英;孫赫;閆宗楷;
- 地址610200 四川省成都市雙流縣蛟龍工業港（雙流園區）東海路六段680號
- 申請號CN201620267784.9
- 申請時間2016年03月31日
- 申請公布號CN205529031U
- 申請公布時間2016年08月31日
- 分類號C23C16/509(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;
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