摘要：一種GaN基光電子器件，用MOVPE技術在襯底上生長外延層，外延層包括按序生長的緩沖層，N－型AlaInbGacN層，量子阱組成有源層，P－型AlGaN限制層，P－型GaN層。其緩沖層為復合型緩沖層，包括InxGal－xN層和/或AlyGal－yN層(可Si摻雜)。復合型緩沖層的生長溫度為400～800℃；N－型GaN的生長溫度為800～1300℃。復合型緩沖層可使N－型GaN層生長較厚，不僅達到降低缺陷密度和防止龜裂，而且優化發光二極管的性能。通過對復合型緩沖層的生長次序、組份和厚度的調整，可分別實現厚的和高質量的N－型GaN，N－型AlGaN，N－型InGaN，和N－型AlInGaN的生長，從而可以極大地提高各種不同波長(如紫外光、蘭光和綠光)發光二極管制作的靈活性。
- 專利類型發明專利
- 申請人大連路明科技集團有限公司;
- 發明人閻春輝;肖志國;
- 地址116025遼寧省大連市高新園區七賢嶺高能街1號
- 申請號CN200610005280.0
- 申請時間2006年01月06日
- 申請公布號CN1996625A
- 申請公布時間2007年07月11日
- 分類號H01L33/00(2006.01);
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