摘要：GaN基化合物半導體發光器件P型電極，由GaN基半導體層之上的導電金屬半透明電極部分和表面粗糙光學透明晶體部分構成。其制法為：在GaN基半導體層之上用電子束蒸發法蒸鍍用于與P型GaN基半導體層間形成歐姆接觸的金屬層；而后在400℃～600℃的溫度下在含氧的氣氛中退火，使金屬變成與P型氮化物半導體材料層具有良好歐姆接觸的半透明電極；繼而在電極上用直接方式或者間接方式在20℃～600℃的溫度下制備表面粗糙的透明晶體層。與現有技術相比，本發明除了具有良好透光率、低電阻率和與P型GaN間有良好的歐姆接觸的特點外，還具有可以提高器件的發光效率、大幅降低成本和工藝過程簡單的特點。
- 專利類型發明專利
- 申請人大連路明科技集團有限公司;
- 發明人陳顯峰;胡禮中;肖志國;
- 地址116025遼寧省大連市高新園區七賢嶺高能街1號
- 申請號CN200610093382.2
- 申請時間2006年06月21日
- 申請公布號CN101093866A
- 申請公布時間2007年12月26日
- 分類號H01L33/00(2006.01);
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