摘要：本發明公開了一種聚二甲基硅氧烷微流控芯片高縱橫比結構制造方法，用于解決現有微流控芯片制造方法制造的微流控芯片中微型柱狀結構縱橫比小的技術問題。技術方案是利用反相模板制造光刻膠SU8模具，然后在此基礎上使用PDMS試劑澆鑄PDMS芯片。得到的PDMS芯片繼續作為模具使用。與此同時配備表面活性劑Brij@52試劑，按照1:1:8比例配備并溶解后涂覆到PDMS芯片表面，并在這個PDMS芯片表面上澆鑄PDMS試劑，經過固化后剝離，最后得到PDMS芯片。本發明采用二步法完成PDMS芯片制造，不需要額外增加其他設備，整個制造過程成本低，步驟簡單，最終實現縱橫比達到25的微米級柱狀結構。
- 專利類型發明專利
- 申請人西北工業大學;
- 發明人王少熙;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請號CN201610900050.4
- 申請時間2016年10月17日
- 申請公布號CN106393526A
- 申請公布時間2017年02月15日
- 分類號B29C39/02(2006.01)I;B29C39/22(2006.01)I;B29C33/60(2006.01)I;B29C33/38(2006.01)I;B01L3/00(2006.01)I;B29K83/00(2006.01)N;
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