摘要：本發明公開了一種基于摻雜硅烯的MEMS壓阻式壓力傳感器及其制造方法。一種基于表面硅加工工藝，基底表面淀積形成絕緣層，絕緣層刻蝕形成空腔；在Ag上沉積硅烯，將其完整覆蓋所述空腔；把Ag基底剝離掉，再在硅烯薄膜上進行抗氧化保護、摻雜；最后在薄膜的上方邊緣沉積兩個金屬電極，電極分別焊有導線。另一種是采用傳統的壓阻式壓力傳感器方式，自下而上包括玻璃、基底、絕緣層、硅烯薄膜、抗氧化保護層、金屬電極。本發明的優點是硅烯與傳統的半導體工藝兼容性好，制造工藝簡單，靈敏度更高，應用更廣。
- 專利類型發明專利
- 申請人華中科技大學;
- 發明人汪學方;占善男;
- 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
- 申請號CN201610371195.X
- 申請時間2016年05月30日
- 申請公布號CN105841852A
- 申請公布時間2016年08月10日
- 分類號G01L1/18(2006.01)I;G01L9/06(2006.01)I;
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