摘要：本發明涉及一種基于窄帶半導體銻化銦的太赫茲圓偏振光產生方法，將銻化銦樣片低溫恒溫器中，待溫度穩定后，將入射線偏振太赫茲波經一線偏振片提高偏振度，聚焦后照射至銻化銦樣片的表面，并將一可調穩定的磁場垂直加載于銻化銦樣片。根據入射太赫茲的頻率，通過調整磁場的入射加載方向以及大小，完成太赫茲圓偏振光的獲取。本發明所提出的一種基于窄帶半導體銻化銦的太赫茲圓偏振光產生方法，具有調制頻率寬、圓偏振出射完美以及偏振器件可調諧的優點。
- 專利類型發明專利
- 申請人福州大學;
- 發明人王向峰;任志英;張生孔;陳盈;
- 地址350108 福建省福州市閩侯縣上街鎮大學城學園路2號福州大學新區
- 申請號CN201510968344.6
- 申請時間2015年12月22日
- 申請公布號CN105549230A
- 申請公布時間2016年05月04日
- 分類號G02F1/09(2006.01)I;G02F1/01(2006.01)I;G02B27/28(2006.01)I;
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