摘要：本發明涉及一種單根一維納米材料散射光譜的顯微成像測量方法及裝置，其特征在于：在基于邁克耳孫干涉儀的測量光路中引入一個由雙顯微物鏡構成的顯微成像裝置，收集來自單根一維納米材料的微弱散射光信號進行成像和探測。第一激光器輸出的探測光和第二激光器輸出的參考光同時進入邁克耳孫干涉儀，邁克耳孫干涉儀輸出的參考光經過反射鏡到達第一探測器，邁克耳孫干涉儀輸出的探測光依次經過顯微成像裝置、凸透鏡到達第二探測器。本發明提出的方法及裝置，綜合了顯微成像技術和傅里葉變換光譜技術的優勢，在測量單根一維納米材料散射光譜的同時，還可以確定單根一維納米材料的位置，具有高分辨率、高靈敏度和高信噪比的優點。
- 專利類型發明專利
- 申請人西北工業大學;
- 發明人趙建林;尚武云;姜碧強;肖發俊;
- 地址710072 陜西省西安市碑林區友誼西路127號
- 申請號CN201610016162.3
- 申請時間2016年01月12日
- 申請公布號CN105424617A
- 申請公布時間2016年03月23日
- 分類號G01N21/27(2006.01)I;
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