摘要：本發明涉及一種基片控溫系統及方法，所述基片控溫系統包括：真空腔室；用于放置基片的樣品臺，設置在所述真空腔室內，且包括用于對所述基片進行加熱的加熱器；與所述樣品臺連接的循環管道，包括入口和出口；惰性氣體源，通過進氣閥連接在所述循環管道的入口處；冷水機水箱，通過進水閥連接在所述循環管道的入口處；以及與所述加熱器、進氣閥和進水閥電連接的控制單元，當需要對所述基片加熱時，打開所述進氣閥且保持所述進水閥關閉；當需要對所述基片進行降溫時，打開所述進水閥且保持所述進氣閥關閉。本發明可以對基片的溫度進行控制。
- 專利類型發明專利
- 申請人深圳職業技術學院;上海超導科技股份有限公司;
- 發明人趙升升;高素萍;潘展程;彭楚堯;
- 地址518055 廣東省深圳市南山區西麗湖深圳職業技術學院
- 申請號CN201510737946.0
- 申請時間2015年11月03日
- 申請公布號CN105296952A
- 申請公布時間2016年02月03日
- 分類號C23C14/54(2006.01)I;
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