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          一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法

            摘要:本發明公開了一種基于憶阻器的可編程模擬電路及其操作方法,可編程模擬電路包括:阻變元件、第一電阻、第二電阻、N型MOS管和P型MOS管;第一電阻的一端作為可編程模擬電路的第一端口,阻變元件的一端與第一電阻的另一端連接,阻變元件的另一端作為可編程模擬電路的第二端口;N型MOS管的漏極和P型MOS管的漏極均連接至阻變元件的另一端,N型MOS管的源極和P型MOS管的源極均接地;第二電阻的一端與第一電阻的另一端連接,第二電阻的另一端、N型MOS管的柵極和P型MOS管的柵極連接后作為可編程模擬電路的脈沖輸入端。本發明通過改變阻變元件的阻值來改變電路的性能,可應用于多種現有模擬電路之中,并且使用器件數較少,操作簡單,節省功耗和時間,提高電路工作效率。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人華中科技大學;
          • 發明人繆向水;孫康;李祎;孫華軍;
          • 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
          • 申請號CN201510127484.0
          • 申請時間2015年03月23日
          • 申請公布號CN104702264A
          • 申請公布時間2015年06月10日
          • 分類號H03K19/00(2006.01)I;
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