摘要：本發明公開了一種WS2-MoS2-C復合負極材料及其制備方法，該材料表示為如下結構式：(WS2)x(MoS2)yCz，由納米級WS2、納米級MoS2以及納米級石墨顆粒復合而成，其中，納米級WS2和納米級MoS2的粒徑為10-60nm，納米級WS2和納米級MoS2均勻分布于石墨基體中且被石墨基體包覆，結構式中的x、y和z分別表示WS2、MoS2以及石墨在所述復合負極材料中的質量百分比，且x、y和z同時滿足以下關系：x+y+z＝1，(x+y)/z≥1，x≠0，y≠0。該復合負極材料以二硫化鎢粉、二硫化鉬粉和石墨粉作為原料，采用機械球磨法獲得。材料有比較大的比表面積，具有良好電化學性能。
- 專利類型發明專利
- 申請人安泰科技股份有限公司;
- 發明人曾宏;武英;趙?；?周少雄;
- 地址100081 北京市海淀區學院南路76號
- 申請號CN201410778600.0
- 申請時間2014年12月15日
- 申請公布號CN104577063A
- 申請公布時間2015年04月29日
- 分類號H01M4/36(2006.01)I;H01M4/58(2010.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;
教育裝備采購網在線客服
京公網安備11010802043465號
