摘要：一種用碘化鉛熔體生長單晶體的方法，是以經過提純的碘化鉛粉末為原料，在專用的安瓿中完成。依次包括清潔安瓿、裝料并除氣封瓿、生長與冷卻四個工藝步驟。該方法能夠抑制碘化鉛熔體的分解與碘的蒸發，能夠排除分凝的鉛。與該方法配套的專用安瓿用石英管制作，由封閉端呈“棗形”的籽晶袋(1)、生長室(2)、連通器(3)、鉛液管(4)、裝料管(5)、掛鉤(6)構成組合體。裝料后的安瓿放入兩段溫度區域垂直管式爐中，完成晶體生長過程。該方法制備的單晶體呈現均勻的桔紅色半透明狀態、應力小，尺寸可達Φ(15～20)×30毫米，剛生長出的單晶體的電阻率可達1012Ω·cm～1013Ω·cm，因而應用面廣，特別適合于制作室溫核輻射探測器。
- 專利類型發明專利
- 申請人西華大學;
- 發明人金應榮;朱興華;賀毅;朱世富;趙北君;欒道成;
- 地址610039四川省成都市西郊西華大學科技處
- 申請號CN200610020393.8
- 申請時間2006年03月02日
- 申請公布號CN100408731C
- 申請公布時間2008年08月06日
- 分類號C30B11/00(2006.01);C30B29/12(2006.01);
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