<acronym id="pokdi"><strong id="pokdi"></strong></acronym>
      <acronym id="pokdi"><label id="pokdi"><xmp id="pokdi"></xmp></label></acronym>

      <td id="pokdi"><ruby id="pokdi"></ruby></td>
      <td id="pokdi"><option id="pokdi"></option></td>
      <td id="pokdi"></td>

        1. 首頁
        2. 裝備資訊
        3. 熱點專題
        4. 人物訪談
        5. 政府采購
        6. 產品庫
        7. 求購庫
        8. 企業庫
        9. 品牌排行
        10. 院校庫
        11. 案例·技術
        12. 會展信息
        13. 教育裝備采購網首頁 > 知識產權 > 專利 > CN103508414B

          一種MEMS陀螺儀芯片雙面陽極鍵合工藝

            摘要:本發明提出這樣一種陽極鍵合工藝方法:將MEMS陀螺儀器件層沉積到臨時高分子襯底上,完成金屬電極沉積和MEMS結構刻蝕之后,將臨時高分子襯底用化學機械拋光的方法去除。去除之后,將玻璃基體和玻璃蓋帽分別緊貼MEMS結構的兩側,加電加熱后一次完成雙面陽極鍵合。這種工藝方法與傳統的兩次陽極鍵合分兩步進行相比,更加節省成本,而且避免了第二次陽極鍵合對第一次陽極鍵合強度削弱這個固有缺點,使得產品可靠性提高。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人華中科技大學;無錫惠思頓科技有限公司;
          • 發明人劉勝;汪學方;方靖;付興銘;
          • 地址430074 湖北省武漢市洪山區珞喻路1037號
          • 申請號CN201310419006.8
          • 申請時間2013年09月13日
          • 申請公布號CN103508414B
          • 申請公布時間2015年08月19日
          • 分類號B81C3/00(2006.01)I;
          99久久国产自偷自偷免费一区|91久久精品无码一区|国语自产精品视频在线区|伊人久久大香线蕉av综合

            <acronym id="pokdi"><strong id="pokdi"></strong></acronym>
              <acronym id="pokdi"><label id="pokdi"><xmp id="pokdi"></xmp></label></acronym>

              <td id="pokdi"><ruby id="pokdi"></ruby></td>
              <td id="pokdi"><option id="pokdi"></option></td>
              <td id="pokdi"></td>