摘要：本發明涉及一種制備Al摻雜的碳化硅納米線的方法，技術特征在于：在無催化劑的條件下以反應燒結的硅基陶瓷和石墨粉為前驅體在硅基陶瓷表面大量合成的Al摻雜SiC納米線。本方法低成本、高效地制備大量的高純Al摻雜的SiC納米線。此外，通過調整制備溫度可以有效控制合成Al摻雜的SiC納米線的形貌和尺寸。合成的納米線主要由大量的直徑變化的6H-SiC納米線組成。納米線的中心線或中心桿的直徑分布在50～100nm范圍內，中心線或中心桿上節點結構的直徑分布在150～300nm范圍內，且都是由Si、C、Al、O等四種元素組成。它們的長度可控，最長可以達到毫米數量級。
- 專利類型發明專利
- 申請人西北工業大學;
- 發明人李賀軍;褚衍輝;付前剛;李克智;李露;
- 地址710072 陜西省西安市友誼西路127號
- 申請號CN201210206341.5
- 申請時間2012年06月21日
- 申請公布號CN102701207B
- 申請公布時間2013年10月09日
- 分類號C01B31/36(2006.01)I;
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