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          半導體端面泵浦高功率單模風冷激光器

            摘要:本發明公開了一種半導體端面泵浦高功率單模風冷激光器。第一泵浦源LD與第一耦合聚焦系統之間、第二泵浦源LD與第二耦合聚焦系統之間分別通過光纖連接;第一耦合聚焦系統和第二耦合聚焦系統輸出的激光分別入射到所述增益介質;第一耦合聚焦系統和第二耦合聚焦系統與增益介質之間分別設有第一折反鏡和第二折反鏡;第一折反鏡的反射光路上設有熱透鏡補償全反鏡;第二折反鏡的反射光路上設有調Q開關和全反鏡;增益介質外側設有第一溫度控制裝置和第二溫度控制裝置,分別用于控制與增益介質的a軸垂直的所有表面和與增益介質的c軸垂直的所有表面的溫度。本發明的激光器功率大、效率高且發出的光束質量優良。
          • 專利類型發明專利
          • 申請人武漢華工激光工程有限責任公司;
          • 發明人盧飛星;閔大勇;
          • 地址430223 湖北省武漢市東湖高新技術開發區華中科技大學科技園華工科技激光產業園
          • 申請號CN200910136518.7
          • 申請時間2009年05月06日
          • 申請公布號CN101882750B
          • 申請公布時間2012年12月12日
          • 分類號H01S3/14(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I;H01S3/10(2006.01)I;H01S3/101(2006.01)I;H01S3/11(2006.01)I;H01S3/042(2006.01)I;H01S3/081(2006.01)I;H01S3/09(2006.01)I;
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