●本裝置使用電阻蒸發、電子束蒸發和離子源輔助清洗、輔助沉積和原位刻蝕進行復合，用于制備特種薄膜，薄膜具有均勻性、附著力、抗損傷、低顆粒物污染等特點，是半導體制程中關鍵工序的核心裝備，其技術長期被美國、日本等國技術巨頭所壟斷，屬于國內卡脖子裝備，也是制約國內半導體領域自主可控的關鍵設備，該設備的技術突破和產業化對國內半導體產業發展具有積極意義。
